異質結（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層（包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H）、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT是很有潛力優勢的技術，在將來HJT電池與鈣鈦礦技術進行復合疊層，突破轉換效率30%成為可能。釜川提供高效異質結電池整線設備濕法制絨設備、PVD、PECVD、電鍍銅設備等。杭州國產異質結裝備供應商

異質結太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結的形成。頂部電極由透明導電氧化物（TCO）層和金屬網格組成。異質結硅太陽能電池已經吸引了很多人的注意，因為它們可以達到很高的轉換效率，可達26.3%，相關團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%，同時使用低溫度加工，通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時保持高產量。異質結電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業發展的規律，是有潛力的下一代電池技術。蘇州高效異質結設備供應商零界高效異質結電池整線解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，明顯提升了太陽能電池的轉換效率。

異質結是由不同材料組成的結構，其中至少有一種材料是半導體材料。根據不同的材料組合方式和結構特點，異質結可以分為以下幾種主要類型：結：由p型半導體和n型半導體組成的結構，是常見的異質結。在pn結中，p型半導體和n型半導體的電子濃度和空穴濃度不同，形成了電場，使得pn結具有整流、光電轉換等特性。2.Schottky結：由金屬和半導體組成的結構，金屬為n型或p型半導體提供電子或空穴，形成勢壘，使得電子或空穴在兩種材料之間流動。Schottky結具有快速開關、高頻特性等優點。3.量子阱結：由兩種不同帶隙能量的半導體材料組成，中間夾著一層非常薄的半導體材料，形成能量勢阱。量子阱結具有量子效應，可以用于制造激光器、太陽能電池等器件。4.量子點結：由非常小的半導體顆粒組成，大小通常在1-10納米之間。量子點結具有量子效應，可以用于制造高效的光電轉換器件。5.懸掛門結：由兩個不同材料的半導體組成，其中一個半導體材料被刻蝕成一個非常薄的層，形成一個懸掛的結構。懸掛門結具有高靈敏度、低功耗等特點，可以用于制造傳感器、存儲器等器件。

高效異質結電池整線設備，HWCVD 1、熱絲化學氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來制備非晶硅薄膜，對襯底無損傷，且成膜質量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個階段，一是反應氣體在熱絲處的分解反應，二是基元向襯底運輸過程中的氣相反應，第三是生長薄膜的表面反應。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來成膜，對襯底無損傷，且成膜質量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。光伏異質結的制造工藝包括薄膜沉積、熱處理、光刻等步驟，具有靈活性高、可定制化的優點。

高效異質結電池整線解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質結后，電池被用一個~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物（TCO）層和前面的金屬網格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來在電池的背面形成一個介電鏡。因此，為了理解和優化整個a-Si:H/c-Si太陽能電池，還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個電荷載流子遷移率相當低的金屬，而TCO/a-Si:H結的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導體結。 TCO的功函數對TCO/a-Si:H/c-Si結構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質結上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優化中必須考慮到。高效異質結電池PECVD設備是制備微晶硅的中心設備，其工藝機理復雜，影響因素眾多，需要專業公司制備。廣州國產異質結報價

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HJT電池整線裝備，形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時間等來進行調節控制。杭州國產異質結裝備供應商